答辩地点：

微电子所202会议室

答辩委员会：

张保国(教  授)

周建伟(教  授)

王如(高级实验师)

王辰伟 (副教授)

黄丽(副教授)

答辩秘书：

石芸慧（博士、讲师）

答辩顺序（如下）：

1

秦思慧

新一代电子信息技术（含量子技术等）

4H-N型碳化硅抛光液组分优化及抛光机理研究

2

邱佳玮

新一代电子信息技术（含量子技术等）

二维硼化铬基超级电容器的交流滤波性能研究

3

程佳宝

新一代电子信息技术（含量子技术等）

Co掺杂CeO₂磨料的可控合成及对SiO₂介质的抛光机理研究

4

王艺展

电子科学与技术

二维硼化钼-有机配体的制备及储锌特性研究

5

王思远

电子科学与技术

表面吸附层对扫描电子显微镜中GaN掺杂衬度的影响研究

6

陈旭华

新一代电子信息技术（含量子技术等）

络合剂复配对硅通孔钽基阻挡层化学机械抛光的研究

7

杜占杰

电子科学与技术

混合磨料对硅通孔背面化学机械抛光的影响研究

8

尤羽菲

新一代电子信息技术（含量子技术等）

催化氧化体系对Ru互联无磨料CMP去除机理研究

9

张潇

新一代电子信息技术（含量子技术等）

FinFET器件多晶硅化学机械抛光速率控制的研究

10

刘扬

新一代电子信息技术（含量子技术等）

MEMS器件超厚绝缘介质层去除均匀性及厚度控制研究

11

王义军

电子科学与技术

钼阻挡层材料电偶腐蚀及去除速率选择性研究