杨瑞霞
时间：2017-03-08 来源：信息工程学院 作者： 访问量：
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姓 名
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职 称
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照片
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所在系别
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电子科学技术系
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职务或社会兼职
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河北省电子学会副理事长
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联系电话
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022-60436718,13920232909
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电子邮件
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yangrx@www.ndytng.com
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通讯地址
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天津市北辰区双口镇西平道5340号电信学院
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邮政编码
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300401
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主讲课程
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半导体器件物理
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导师类型
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博导，硕导
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个人经历或学术经历
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1988年6月-1992年5月电子系讲师，1992年6月破格晋升副教授，1996年6月破格晋升教授。2004年1月-2016年10月任电信学院院长。于西安交通大学半导体器件与微电子学学科获工学博士学位。
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研究方向
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新型电子材料与器件（含宽禁带半导体材料与器件，低维材料与器件）
微波毫米波器件及单片集成电路
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业绩成果
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一直从事半导体材料、器件与集成电路的教学与研究，取得了一定成绩，被评为河北省教学名师，河北省优秀硕士论文指导教师，教师楷模，获天津市五一劳动奖章。作为主持人，承担完成国家自然科学基金、天津市自然科学基金、河北省自然科学基金、总装备部武器装备预研基金、教育部博士学科专项科研基金等国家和省部级科研项目21项。在半导体晶体材料、半导体薄膜材料、半导体中杂质和缺陷的特性及其控制利用、半导体发光器件、微波功率和高速高频化合物半导体器件及集成电路研制方面取得了多项科研成果，发表学术论文180余篇，研制出了多款GaAs基MESFET及单片集成电路、InP基HEMT及单片集成电路、GaN基HEMT、InP基共振隧穿器件，获多项发明专利。在直拉GaAs、InP单晶中的一些主要缺陷的特性、产生机理、对材料特性的影响及其控制利用方面取得了一些重要的新发现，提出了新机理模型，其中“InP单晶中主要缺陷结构及其形成机理”获年河北省自然科学二等奖。
承担和参与教研教改项目6项，“面向21世纪的电子信息人才培养体系的创新与实践”获河北省教学成果二等奖，改革生产实习模式，促进创新应用型人才培养的研究与实践，获河北省教学成果三等奖。，其中“InP单晶中主要缺陷结构及其形成机理”获年河北省自然科学二等奖。
学术兼职：教育部高等学校电子信息教学指导委员会委员，河北省高等学校电气信息类教学指导委员会秘书长；
近几年主持承担的部分科研项目：
1、国家自然科学基金项目，不同熔体配比条件下InP单晶生长及材料性质研究（61076004，2011.1-2013.12，）
2、天津市自然科学基金重点项目，GaN基微波功率异质结场效应晶体管的研制（07JCZDJC06100，2007-2009）
3、河北省自然科学基金项目“双δ掺杂PHEMT材料制备及应变层界面研究” （E2009000050，2009-2011）
4、总装备部预研基金项目xxxxxx砷化镓场效应晶体管（51432020103QT4501）
5、天津市自然科学基金重点项目，掺Fe半绝缘InP晶体拉制及化学配比对Fe掺杂效应的影响 （15JCZDJC37800，2015.04-2018.04）
近几年发表的部分论文：
1、R.X. Yang, H.B. Qu, P. Gao, H.M. Tian, Microcarrier-controlled-microfluidic chip for microsphere single-pass applications by hot embossing lithography, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 9(4)（2010）, 0430091-0430094，
2、Chun-Li Luo, Rui-Xia Yang *,Wei-Guo Yan, Jian Zhao, Guang-Wu Yang, Rapid fabrication of large area binary polystyrene colloidal crystals，Superlattices and Microstructures 95 (2016) 33-37
3、Xiaolan Li, Ruixia Yang, Fan Yang, Tongnian Sun, and Niefeng Sun ，Influence of the cone angle and crystal shape on the formation of twins in InP crystals ，Phys. Status Solidi C 99（2012） 165–168
4、Zhiguo Liu, Ruixia Yang, Fan Yang, Xiuwei Tian, Qiang Wang, Yang Wang, Xiaolan Li, Dislocations related with the pore on P-rich InP wafer ,Phys. Status Solidi C 10 (2013)1373–1376
5、Zhang Xiaojie, Yang Ruixia, Wang Jinghui, Enhanced light output power in InGaN/GaN light-emitting diodes with a high reflective current blocking layer, Journal of semiconductors, 33（ 7）（2012），074008-1-074008-4,
6、Yang Ruixia, Wu Yibin, Niu Chenliang, Yang Fan, Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during homoepitaxial growth on nonmisoriented GaAs(111)B by MBE, Journal of semiconductors, v 31（ 11）（2010），1130011-1130014,
获奖：
1、InP单晶中主要缺陷结构及其形成机理”2009年河北省自然科学二等奖。
2、面向21世纪的电子信息人才培养体系的创新与实践，2009年河北省教学成果二等奖，3、改革生产实习模式，促进创新应用型人才培养的研究与实践，2013年河北省教学成果三等奖
近几年部分发明专利
1、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法，ZL.201110204341.7，授权时间：2013.09.04
2、GaN场效应晶体管和单片电路台形接地通孔的制作方法，ZL 200910070050.6，授权时间：2012.04.18
3、一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，ZL 2013102755859.9，授权时间：2016.04.06
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