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牛新环

时间：2017-03-08 来源：信息工程学院 作者： 访问量：

   
姓　名
牛新环
职　称
教授
所在系别
微电子技术与材料研究所/电子科学技术系
职务或社会兼职
天津市科技特派员
联系电话
13342002271
电子邮件
xhniu@www.ndytng.com；249517391@qq.com
通讯地址
天津市红桥区光荣道29号南院微电子所
邮政编码
300130
主讲课程
发明创造工程学（本科）；半导体化学（硕士）
导师类型
学术/专业型硕士生导师
                                                             个人经历或学术经历
2004/09 –，，信息工程学院微电子所，博士，讲师/副教授/教授
2001/09 – 2004/06，，材料学院信息功能材料所，硕士
1994/09 – 1998/06，，材料科学与工程系，学士
                                                                        研究方向
微电子技术与材料；信息功能材料表面超精密加工及性能研究
                                                                       业绩成果
包含科研项目、成果、专利、论文、专著、奖励、荣誉和学术兼职等
 一、科研项目
1. 国家科技02重大专项项目，ZX200902308-002，碱性抛光液CMP工艺以及相关材料、工艺与设备关系的研究，2009/01-2012/12，764.29万元，结题，第二。
2. 国家自然科学重点安全基金，10676008，W-Mo/Mg-Al合金的化学机械磨蚀机理及方法研究，2007/01-2010/6，40万元，结题，第三。
3. 天津市自然科学基金，16JCYBJC16100，GLSI 28纳米低压低磨料弱碱性CMP机理及关键技术研究，2016/04-2018/03， 10万，在研，主持。
4. 国家科技02重大专项，2016ZX02301003-004-007，20-14nm集成电路碱性抛光液与清洗液的研发，2016/01-2019/12，946万元，在研，第四。
5. 河北省自然科学基金，E2013202247，LED用蓝宝石衬底材料化学机械抛光机理及技术研究，2013/01-2015/12，5万元，结题，主持。
6. 天津市科技特派员项目，15JCTPJC64700，4英寸LED蓝宝石衬底抛光液产业化应用示范。2016/01-2016/12，5万元，在研，第二。
7. 天津市自然科学重点基金，10JCZDJC15500、集成电路Cu/low-k互连薄膜机械可靠性研究，2010/03-2013/3，20万元，结题、第二，本单位主持。
8. 河北省人力资源和社会保障厅,百人计划，E2013100006，化合物半导体氮化镓新材料的CMP及清洗技术，2014/01-2016/12，100万元，在研，第三。
9. 河北省政府，河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心， 2016/01-2019/12，650万元，在研，骨干。
10. 河北省教育厅青年基金，2011128、光电器件用蓝宝石衬底化学机械抛光质量控制技术研究，2011/07-2014/12，2万，结题，主持
11. 河北省政府，河北省微电子技术与材料巨人计划创新团队， 2015/01-2017/12，200万元，在研，骨干。
12. 河北省自然科学基金，E200400006，锗硅合金单晶的热电转换性能研究，2004.1-2008.1，结题，6万
13. 河北省科技计划项目，硅通孔工艺的碱性平坦化材料与工艺研究（15211027）， 第二
14. 企业委托课题，精密光学加工与清洗技术开发（HI1304），2014.12，10万，主持
15. 企业委托课题，蓝宝石加工用CMP工艺技术的开发（HI1407），2015.5，10万，主持
16. 企业委托课题，铝合金表面精密加工工艺开发（HI1505），2015.12，10万，主持
二、专利
1. 发明专利，极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法，ZL201010231680.X，2012.7，第二（执笔）
2. 发明专利，蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法，ZL201010231658.5，2012.9，第二（执笔）    
3. 发明专利，蓝宝石衬底材料CMP抛光液的制备方法，ZL201010232141.8，2013.2，第二（执笔）   
4. 发明专利，磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法，ZL201010231938.6，2013.3，第二（执笔）   
5. 发明专利，镁铝合金材料表面化学机械抛光液的制备方法，ZL201010232558.4，2013.4，第三     
6. 实用新型，一种温控吹风机，ZL201520110606.0，2015.5，第二（指导教师）                       
7. 实用新型，可变量程比重计，ZL201520111574.6，2015.5，第二 （指导教师）                    
8. 实用新型，带有相关双采样功能的高增益光电探测器单元读出电路，ZL201220661189.5，2013.6，第二
9. 实用新型，应用于宽频电路设计的差分双峰值检测电路，ZL201220660830.3，2013.6，第三        
10. 发明专利，锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，ZL 201410781702.8，2016.6.28，第一           
11. 发明专利，蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液及其循环使用方法，ZL 201410779195.4，2014.12，第一      
12. 发明专利，蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液及其循环使用方法，ZL 201410776194.4，2014.12，第一    
13. 发明专利，陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法，ZL 201410776195.9，2014.12，第一
14. 美国发明专利，METHOD FOR REMOVING CONTAMINANTS FROM SILICON WAFER SURFACE，US7578890B2，2009.8，第二
15. 美国发明专利，SLURRY FOR CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION OF SAPPHIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME， US 7883 557 B2，2011.2，第四
16. 发明专利，蓝宝石衬底材料表面粗糙度的控制方法，ZL200610013982.3，2009.11，第二
17. 发明专利，蓝宝石衬底材料高去除速率的控制方法，ZL200610013968.3，2009.8，第二
三、论文
1.  FTIR Spectroscopy of high concentration Ge-doped Czochralski-Si，J.Crystal Growth 2004 第一作者 （SCI）
2.  Distribution of Ge in High Concentration Ge-Doped Czochralski-Si Crystal，J.Crystal Growth 2004 第一作者 （SCI）
3.  Method of surface treatment on sapphire substrate, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006, 16:732，第一作者 （SCI）
4.  Dislocation of Cz-sapphire substrate for GaN growth by chemical etching method, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006, 16:187，第一作者 （SCI）
5.  Removal rate and surface quality of the GLSI silicon substrate during the CMP process, Microelectronic Engineering, 2017, 168:76-81第二/通讯作者 （SCI）
6.  Effect of a novel chelating agent on defect removal during post-CMP cleaning，Applied Surface Science，2016，378：239-244，第二/通讯作者 （SCI）
7.  Bulk single crystal growth of SiGe by PMCZ method，Rare Metals 2003 第二作者 （SCI）
8.  非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷，稀有金属材料与工程，2006，35（10）: 1544-1547，第二作者SCI
9.  Infrared measurement of Ge concentration in CZ–Si，J.Crystal Growth 2005 第三作者 （SCI）
10.Effect of surfactant on removal of particle contamination on Si wafers in ULSI Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006，16, s195-198，第三作者 （SCI）
11.Slurry and processing technique of CLBO crystal，Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006, 16：s692-695，第三作者 （SCI）
12.pH值对ULSI硅衬底抛光速率的影响, 功能材料, 2006，37：336，第一作者 （EI）
13.High precision finishing process for sapphire substrate surface，半导体学报，2007，25：48-51，第一作者 （EI）
14.Influence of temperature on chemical mechanical polishing quality of sapphire substrate, Semiconductor Technology, ISTC2007, p 337-342，第一作者 （EI）
15.Influence of surfactant on Si{111} etched surface，ICSICT2008，p1332，第一作者 （EI）
16.Study on CMP Mechanism and Technology of Sapphire Substrate for Photo-conducting Device，ISTC2009，p435,第一作者 （EI）
17.High Precision Finishing Technique of Sapphire Substrate Surface for Photoconducting Device，Materials Science Forum，2011，663-665：80-83，第一作者 （EI）
18.Growth and fundamental properties of SiGe single crystal，Advanced Materials Research，2010，129-131：139-142，第一作者 （EI）
19.Ultra precision Machining Technique of InSb Substrate Material for Detector Devices，Advanced Materials Research，2011，183-185，1137-1140，第一作者 （EI）
20.Influence of Nano abrasive on Chemical Mechanical ultra- precision machining of Sapphire Substrate Surfaces，Key Engineering Materials，2014，609-610，第一作者 （EI）
21.Achievement of non-selectivity barrier slurry by adding H3PO4 and its application in patterned wafers CMP，ICSICT，2012，第一作者 （EI）
22.Study on chemical mechanical ultra precision process technology of Aluminum Interconnected Line for ULSI，EMEIT 2012，p 1487-1490，第一作者 （EI）
23.掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性，人工晶体学报，2005，第二作者（EI）
24.Application of surfactant in Si CMP processing, ISTC2009,p547, 第二作者（EI）
25.Study on the lapping slurry for ULSI silicon substrate preparation, ICSICT-2006,p 487-488，第二作者（EI）
26.Control Action of Temperature on ULSI Silicon Substrate CMP Removal Rate and Kinetics Process，半导体学报，2007,28,62-66, 第二作者（EI）
27.铌酸锂CMP速率的影响因素分析，半导体学报，2007,28, 574-578, 第二作者（EI）
28.Analyses of CMP Mechanism of NiP Substrate of Computer Hard-disk with Alkali Slurry，Advanced Materials Research，2010，129-131：580-583，第二作者（EI）
29.Effect of FA/O chelating agent on copper ion removing on silicon surface，Advanced Materials Research，2011，183-185，2284-2287，第二作者（EI）
30.超精密加工中铜表面CMP 后残余金属氧化物的去除,稀有金属，2017，41（2）:146-152，第二作者（EI）
另有第一作者及指导学生发表于J. Crystal Growth、Materials Science and Engineering B、半导体学报、功能材料、稀有金属、半导体技术等 SCI、EI、核心期刊检索论文90余篇。
四、奖励
1.极大规模集成电路平坦化工艺与材料，天津市人民政府，天津市科学技术发明奖，三等奖，2015，第五。
2. 多羟多胺螯合剂在ULSI化学机械平坦化中的应用，天津市政府，天津市科学技术发明奖，三等奖，2013，第二。
3. 电子器件衬底材料表面化学机械超精密加工新技术，中国电子学会，发明，三等奖，2009。第二。
4. 固体表面高精密加工技术及专用纳米材料，天津市政府，天津市科学技术发明奖，二等奖，2006，第五。
5. 集成电路及多层布线的平坦化，2014.10  第十四届全国多媒体大赛获河北赛区高教工二等奖，第一。
6. 集成电路制造工艺之化学机械平坦化，2016.9，河北省多媒体大赛高教工一等奖，第一。
7．2012、2013、2015年度研究生课堂教学质量优秀奖。
五、荣誉
1. 2012年度国家02重大专项“极大规模集成电路平坦化工艺与材料”优秀团队骨干成员。
2. 2014年河北省“巨人计划”微电子技术与材料创新团队骨干成员。
3. 2015年河北省“微电子超精密了加工材料与技术”协同创新中心骨干成员。
4. 2013、2015年校级“工会积极分子”。
5. 2016年“优秀共产党员”。
6. 2016年“天津市教育系统优秀共产党员”。
7. 2016年“五比双创示范岗”。
8. 2016年度“天津市教育系统五比双创示范岗”。
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