关于刘德正等硕士研究生答辩的公告（2024年5月21日）
时间：2024-05-20 来源： 作者： 访问量：
答辩时间：2024年5月21日（星期二）13:30
答辩地点：微电子所202会议室
答辩委员会：张保国(主席、教授) 周建伟(教授) 黄丽(副教授)
王辰伟(研究员) 石芸慧(讲师) 齐宇航(讲师)
答辩秘书：朱梦雅（博士、讲师）
答辩顺序：
序号 |
答辩人 |
专业 |
论文题目 |
1 |
刘德正 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
集成电路FinFET栅极材料化学机械平坦化速率选择比的研究 |
2 |
李哲 |
电子科学与技术 |
MBene基正极材料的设计及储锌性能的研究 |
3 |
成艳杰 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
二维硼化钼基超级电容器的交流滤波性能研究 |
4 |
李丁杰 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
基于硅溶胶体系钨插塞 CMP 去除机理的研究 |
5 |
孙纪元 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
钌基阻挡层铜膜CMP碟形坑及蚀坑控制机理的研究 |
6 |
陈志博 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
集成电路层间介质CMP抛光液及其机理的研究 |
7 |
张子帆 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
多孔碳复合Ni和CoFe2O4材料的制备及吸波机理研究 |
8 |
杨啸 |
电子信息 |
12英寸硅片CMP去除速率与表面腐蚀控制机理的研究 |
9 |
刘敏 |
新一代电子信息技术（含量子技术等） |
用于介质层CMP的氧化铈抛光液去除速率及稳定性研究 |
10 |
王雪洁 |
电子科学与技术 |
大尺寸单晶硅片CMP精抛液及其机理的研究 |
11 |
崔德兴 |
电子科学与技术 |
4H-N型碳化硅去除速率和表面粗糙度研究 |
12 |
何梓玮 |
电子科学与技术 |
铜互连钌基阻挡层CMP速率选择性及异质界面腐蚀抑制机理的研究 |
电子信息工程学院
2024年5月17日