学术报告：GaN Power FETs: from lateral to vertical
时间：2018-04-24 来源：信息工程学院 访问量：
报告题目：GaN Power FETs: from lateral to vertical
报告时间：2018年4月27日上午10:00
报告地点：电子信息工程学院407会议室
报 告 人：冀东
Abstract:
Gallium nitride (GaN) has a bandgap of 3.4 eV, a high breakdown electric field over 3 MV/cm, and a high electron mobility over 1100 cm2/Vs; each of these material properties make the GaN device the most promising technology for the next generation of power switching applications. Due to the high conductivity of the two-dimensional electron gas (2DEG) induced by the difference in the polarization charges of AlGaN and GaN at the AlGaN/GaN heterostructure, GaN power devices have been mostly lateral in topology, as we see in high electron mobility transistor (HEMT). However, for higher power-density and higher total power (>10 kW), devices with a vertical topology are necessary. In this talk, two typical vertical GaN FET structures will be introduced: 1) the current aperture vertical electron transistor (CAVET); and 2) the trench MOSFET. A roadmap to achieve 1.2 kV class switch will be analyzed. Achievements and challenges on vertical GaN FETs will be discussed.
报告人简介：
冀东博士，加州大学戴维斯分校，博士后。2017年毕业于加州大学戴维斯分校电子与计算机工程系，获得博士学位。2014年硕士毕业于美国亚利桑那州立大学（GPA满分），2013年本科毕业于北京交通大学。荣获国家优秀留学生奖学金，加州大学戴维斯分校工学院最佳博士论文提名，IEEE IEDM最佳学生论文提名，IEEE WiPDA Travel Award，宝钢优秀学生特等奖。
博士期间，作为主要成员参与美国能源部先进能源战略委员会“下一代功率半导体器件”项目，负责1200V 垂直氮化镓晶体管的设计与制备工作。设计并且制备出高性能1.2kV氮化镓垂直功率晶体管，通过“再生长”工艺大幅提升了沟道电子迁移率。发表世界上第一支沟槽栅结构的垂直高电子迁移率晶体管（Trench CAVET，沟道迁移率 > 1600 cm2/Vs），获批相关专利。主持研发了“器件-电路-系统”功率器件仿真平台，构造了氮化镓功率器件的完备仿真模型（二维和三维），被美国TCAD公司Silvaco采用。研究成果被媒体多次报道。发表第一作者杂志论文13篇（EDL, TED, APL, JAP），会议论文7篇 （IEDM， ISPSD， DRC等），美国专利2项，专著1章。