题目：GaN基LED的发光效率droop起源与GaN的P型掺杂研究

时间：2019年10月8日上午9:30

地点：西教二407

报告人：闫大为  博士

报告简介：

1）当注入电流密度较大时，GaN基LED遭受严重的效率droop效应，给器件的实际应用带来严重问题。首先分析了各种droop模型的基本特性，然后测试变温I-V和EQE-I行为，证明电子泄露和俄歇复合过程分别是低温和高温下效率droop的主要原因；

2）首次提出一种新型的电场注入p型掺杂方法，在GaN体衬底外延片上注入F离子实现了高浓度的二维空穴气（2DHG），并对该p型沟道的产生进行了深入分析。

报告人简介：

闫大为，博士(后)，1981年生，江南大学电子工程系副教授，硕士生导师，美国IEEE会员。2011年毕业于南京大学电子科学与工程系获博士学位（师从杰青、长江学者陆海教授），美国范德堡大学电子工程系访问学者，合作导师为国际知名学者IEEE FellowDaniel M Feelwood教授。主要研究方向为宽禁带III族氮化物半导体器件物理和工艺，目前的主要兴趣为GaN HEMTs的电学可靠性和高性能紫外探测器的研制；以第一和责任作者已发表科技论文26篇，包括微电子器件领域顶级SCI期刊IEEE Electronic Device letters，IEEE Transactions on ElectronDevices,IEEE Photonics Technology Letters, Applied Physics Letters等，被引次数360余次，单篇最高次数90次；建设了固态器件特性测试和分析实验室，搭建了完备的半导体器件测试系统，包括变温电流-电压，电容-电压特性测试系统，低频噪音测试系统，光谱响应测试系统，电致发光测试系统，和微光成像测试系统等；多家SCI期刊评审人，包括APL, EDL,TED，JAP, ScientificReports和ACS Applied interface and materials等。