TESCAN GAIA3Ga 离子双束扫描电镜
时间:2020-06-11 来源: 作者: 访问量:
1.设备简介
TESCANGAIA3电镜系统集成了超高分辨率的电子光学系统和高性能的离子束系统,不但能进行低电压超高分辨的电镜观察,也能利用FIB对试样进行切割、加工、沉积,从事内部和截面观察及特定图形加工工作,尤适合制备选定区域的TEM样品。附件包括EDS能谱、EBSD背散射电子衍射等。
2.设备功能
(1)半导体
集成电路板、TEM薄片节点的失效分析;三维集成电路板的原型设计和电路修改;电子束敏感结构材料的成像,超高分辨FIB-SEM层析成像技术;集成电路板和薄层测量下具有开创性及精确的原型设计、离子束光刻(IBL)。
(2)材料科学
特定应用下的TEM薄片的样品制备;电子束蚀刻或聚焦离子束诱导沉积;非导电材料、纳米材料如纳米管和纳米环、金属材料的成像;通过切片分析进行金属及合金的疲劳和裂纹形成分析;磁性样品的制备和成像;可以进行成分分析;EBSD晶粒尺寸、晶体取向、孪晶分析。
(3)生命科学
低电子束能量下生物样品未镀膜状态的观察;高度集中区域的高分辨FIB层析成像分析标本动物嵌入树脂或植物组织和细胞的独特三维结构信息;动物和植物组织的超微结构分析的TEM薄片制备及分析;
3.主要技术参数
In-Beam SE | 0.7 nm at 15 keV |
SE (BDM) | 1.0 nm at 1 keV |
STEM | 0.7 nm at 30 keV |
FIB resolution | <2.5nm |
4.附件
EDS能谱
EBSD背散射电子衍射
5.联系方式
仪器存放地点:机材楼C103
联系人:孟爽
电话:15527063609
邮箱:2014911590@qq.com